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SG2016CAN愛普生晶振編碼X1G004801000200低相位抖動(dòng)SPXO

2022-10-19 11:09:06 壹兆電子

SG2016CAN愛普生晶振編碼X1G004801000200低相位抖動(dòng)SPXO

愛普生現(xiàn)已推出SG2016系列高頻、低相位抖動(dòng)SPXOs樣品-該系列比愛普生的SG2520系列SPXOs54%,800G收發(fā)器等高帶寬光模塊的理想選擇-日本東京20221012日關(guān)于愛普生愛普生是全球技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者,其高效、緊湊和精確創(chuàng)新的理念豐富了生活,愛普生晶振并有助于創(chuàng)造一個(gè)更美好的世界.該公司致力于通過(guò)家庭和辦公印刷、商業(yè)和工業(yè)印刷、制造、視覺和生活方式的創(chuàng)新來(lái)解決社會(huì)問(wèn)題.2050,愛普生將成為負(fù)碳公司,不再使用石油和金屬等可耗盡的地下資源.由日本精工愛普生公司領(lǐng)導(dǎo)的全球愛普生集團(tuán)年銷售額超過(guò)1萬(wàn)億日元.

SG2016CAN愛普生晶振編碼X1G004801000200,EPSON低相位抖動(dòng)SPXO晶振

QQ截圖20221019112002

SeikoEpsonCorporation(TSE:6724,Epson已經(jīng)開始發(fā)運(yùn)具有差分輸出1的新系列簡(jiǎn)單封裝晶體振蕩器(SPXO)的樣品.該系列包括SG2016EGN、SG2016EHN、SG2016VGNSG2016VHN.所有器件在基本模式3下均具有低相位抖動(dòng)2,并采用2.0x1.6毫米的小型封裝,高度為0.63毫米(典型值.).計(jì)劃于2023(日歷年)第一季度開始量產(chǎn).

愛普生有源晶振編碼 型號(hào) 頻率 長(zhǎng)X寬X高 輸出波 電源電壓 工作溫度 頻差
X1G004801000200 SG2016CAN 24.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS 1.600to3.630V -40to85°C +/-50ppm
X1G004801000300 SG2016CAN 26.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS 1.600to3.630V -40to85°C +/-50ppm
X1G004801000700 SG2016CAN 12.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS 1.600to3.630V -40to85°C +/-50ppm
X1G004801001200 SG2016CAN 25.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS 1.600to3.630V -40to85°C +/-50ppm
X1G004801001300 SG2016CAN 50.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS 1.600to3.630V -40to85°C +/-50ppm
X1G004801001400 SG2016CAN 16.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS 1.600to3.630V -40to85°C +/-50ppm
X1G004801001800 SG2016CAN 20.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS 1.600to3.630V -40to105°C +/-50ppm
X1G004801002000 SG2016CAN 48.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS 1.600to3.630V -40to85°C +/-50ppm
X1G004801002100 SG2016CAN 27.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS 1.600to3.630V -40to105°C +/-50ppm
X1G004801002400 SG2016CAN 25.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS 1.600to3.630V -20to70°C +/-25ppm
X1G004801002600 SG2016CAN 33.333300MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS 1.600to3.630V -40to85°C +/-50ppm
X1G004801002700 SG2016CAN 10.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS 1.600to3.630V -40to105°C +/-50ppm
X1G004801002800 SG2016CAN 50.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS 1.600to3.630V -40to105°C +/-50ppm
X1G004801002900 SG2016CAN 10.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS 1.600to3.630V -40to85°C +/-50ppm
X1G004801003000 SG2016CAN 4.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS 1.600to3.630V -40to85°C +/-50ppm
X1G004801003100 SG2016CAN 24.576000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS 1.600to3.630V -40to105°C +/-50ppm
X1G004801003500 SG2016CAN 25.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS 1.600to3.630V -40to105°C +/-50ppm
X1G004801003600 SG2016CAN 40.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS 1.600to3.630V -40to105°C +/-50ppm
X1G004801003900 SG2016CAN 26.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS 1.600to3.630V -40to105°C +/-50ppm
X1G004801004000 SG2016CAN 24.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS 1.600to3.630V -40to105°C +/-50ppm
X1G004801004400 SG2016CAN 12.288000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS 1.600to3.630V -40to85°C +/-50ppm
X1G004801004500 SG2016CAN 8.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS 1.600to3.630V -40to85°C +/-50ppm
X1G004801004600 SG2016CAN 8.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS 1.600to3.630V -40to105°C +/-50ppm
X1G004801004900 SG2016CAN 4.000000MHz 2.00x1.60x0.70mm CMOS 1.600to3.630V -40to105°C +/-50ppm
由于5G網(wǎng)絡(luò)的增長(zhǎng)和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的實(shí)施,未來(lái)的數(shù)據(jù)流量將進(jìn)一步增加.為了處理這種流量,光傳輸模塊被期望過(guò)渡到更高的速度和更大的容量,400Gbps800Gbps.下一代800G光傳輸模塊將需要更小,因?yàn)樗鼈儗?nèi)置更大的數(shù)字信號(hào)處理器(DSP),這將需要更多的散熱空間.新振蕩器的體積比其前身EpsonSG2520EGN、SG2520EHN、SG2520VGNSG2520VHN54%.像他們的前輩一樣,他們使用了一個(gè)HFF晶體單元4和一個(gè)由日本進(jìn)口晶振愛普生公司設(shè)計(jì)的緊湊型振蕩器IC.它們還提供相同的高頻、高穩(wěn)定性和低相位抖動(dòng).這些特性使它們成為下一代800G傳輸模塊的理想選擇.作為石英晶體設(shè)備的領(lǐng)導(dǎo)者,愛普生尋求利用其技術(shù)為實(shí)現(xiàn)智能社會(huì)做出貢獻(xiàn),并將繼續(xù)提供滿足各種電子設(shè)備和社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施需求的晶體設(shè)備產(chǎn)品.

SG2016CAN愛普生晶振編碼X1G004801000200,EPSON低相位抖動(dòng)SPXO晶振

QQ截圖20221019112019

產(chǎn)品應(yīng)用-光傳輸模塊(內(nèi)置于路由器和交換機(jī)等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中)-數(shù)據(jù)中心-工廠自動(dòng)化設(shè)備和測(cè)量?jī)x器-高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器相關(guān)鏈接

請(qǐng)查看下面的產(chǎn)品詳情鏈接.

1差分輸出:輸出極性相反的頻率信號(hào)的方法.差分輸出振蕩器實(shí)現(xiàn)高頻傳輸,抗噪聲能力強(qiáng).

2抖動(dòng):時(shí)鐘周期的波動(dòng)會(huì)導(dǎo)致顯示圖像波動(dòng)和數(shù)據(jù)傳輸中的誤碼等問(wèn)題.

3基模:晶體單位振動(dòng)的自然頻率.

4高頻基波(HFF)晶體單元:一種可以以高頻基波振蕩而不損害晶體芯片強(qiáng)度的晶體單元,因?yàn)槭褂霉饪坦に噥?lái)創(chuàng)建倒臺(tái)面結(jié)構(gòu),其中只有晶體芯片的振動(dòng)區(qū)域被減薄到幾微米的厚度.HFF晶體單元有助于高速、大容量通信的穩(wěn)定性,因?yàn)樗鼈兛梢砸种聘浇闹C波分量.SG2016CAN愛普生晶振編碼X1G004801000200,EPSON低相位抖動(dòng)SPXO晶振

QQ截圖20221019090008

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