愛(ài)普生晶振Q22FA1280029800石英晶體能看懂的參數(shù)指標(biāo)描述
EPSON晶振動(dòng)態(tài)電阻:串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻.用R1表示.
EPSON晶振負(fù)載諧振頻率(fL):在規(guī)定條件下,晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率.在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí),愛(ài)普生晶振負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè),在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí),則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè).
負(fù)載電容:與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容,通常用CL表示.
EPSON晶振負(fù)載電容系列是:8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF.
EPSON晶振只要可能就應(yīng)選推薦值:10PF、20PF、30PF、50PF、100PF.
愛(ài)普生晶振,Q22FA1280029800石英晶體
愛(ài)普生晶振編碼
長(zhǎng)x寬x高
型號(hào)
石英晶振頻率
負(fù)載
頻率25°C
頻率公差
工作溫度范圍
ESR最大
驅(qū)動(dòng)電平
Q22FA1280023600
2x1.6x0.5mm
FA-128
25.000000MHz
18pF
+/-30ppm
+/-30ppm
-20to+70°C
≤80Ω
≤100µW
Q22FA1280023800
2x1.6x0.5mm
FA-128
25.000000MHz
18pF
+/-30ppm
+/-30ppm
-40to+85°C
≤80Ω
≤100µW
Q22FA1280024100
2x1.6x0.5mm
FA-128
30.000000MHz
10pF
+/-10ppm
+/-10ppm
-20to+75°C
≤60Ω
≤100µW
Q22FA1280024200
2x1.6x0.5mm
FA-128
27.000000MHz
10pF
+/-30ppm
+/-30ppm
-40to+85°C
≤60Ω
≤100µW
Q22FA1280024400
2x1.6x0.5mm
FA-128
24.000000MHz
10pF
+/-15ppm
+/-20ppm
-40to+85°C
≤80Ω
≤100µW
Q22FA1280025000
2x1.6x0.5mm
FA-128
24.000000MHz
9pF
+/-20ppm
+/-30ppm
-40to+85°C
≤80Ω
≤100µW
Q22FA1280025200
2x1.6x0.5mm
FA-128
27.000000MHz
12pF
+/-30ppm
+/-30ppm
-40to+85°C
≤60Ω
≤100µW
Q22FA1280026100
2x1.6x0.5mm
FA-128
20.000000MHz
7pF
+/-10ppm
+/-10ppm
-20to+75°C
≤100Ω
≤100µW
Q22FA1280026500
2x1.6x0.5mm
FA-128
25.000000MHz
18pF
+/-10ppm
+/-10ppm
-20to+75°C
≤80Ω
≤100µW
Q22FA1280026700
2x1.6x0.5mm
FA-128
30.000000MHz
10pF
+/-30ppm
+/-30ppm
-20to+75°C
≤60Ω
≤100µW
Q22FA1280027100
2x1.6x0.5mm
FA-128
24.000000MHz
8pF
+/-30ppm
+/-30ppm
-40to+85°C
≤80Ω
≤100µW
Q22FA1280028400
2x1.6x0.5mm
FA-128
48.000000MHz
12pF
+/-30ppm
+/-30ppm
-20to+75°C
≤60Ω
≤100µW
Q22FA1280029800
2x1.6x0.5mm
FA-128
25.000000MHz
20pF
+/-30ppm
+/-30ppm
-40to+85°C
≤80Ω
≤100µW
Q22FA1280030000
2x1.6x0.5mm
FA-128
27.120000MHz
10pF
+/-10ppm
+/-30ppm
-40to+85°C
≤60Ω
≤100µW
Q22FA1280030100
2x1.6x0.5mm
FA-128
48.000000MHz
12pF
+/-30ppm
+/-30ppm
-40to+85°C
≤60Ω
≤100µW
Q22FA1280030200
2x1.6x0.5mm
FA-128
48.000000MHz
10pF
+/-30ppm
+/-30ppm
-40to+85°C
≤60Ω
≤100µW
Q22FA1280030300
2x1.6x0.5mm
FA-128
36.000000MHz
8pF
+/-10ppm
+/-12ppm
-30to+85°C
≤60Ω
≤100µW
Q22FA1280030400
2x1.6x0.5mm
FA-128
24.000000MHz
8pF
+/-10ppm
+/-12ppm
-30to+85°C
≤80Ω
≤100µW
Q22FA1280030500
2x1.6x0.5mm
FA-128
32.000000MHz
10pF
+/-10ppm
+/-10ppm
-20to+75°C
≤60Ω
≤100µW
Q22FA1280030800
2x1.6x0.5mm
FA-128
16.000000MHz
12pF
+/-10ppm
+/-10ppm
-20to+75°C
≤200Ω
≤100µW
Q22FA1280031100
2x1.6x0.5mm
FA-128
25.000000MHz
18pF
+/-30ppm
+/-30ppm
-20to+75°C
≤80Ω
≤100µW
Q22FA1280031400
2x1.6x0.5mm
FA-128
24.000000MHz
18pF
+/-30ppm
+/-30ppm
-20to+75°C
≤80Ω
≤100µW
Q22FA1280031500
2x1.6x0.5mm
FA-128
27.120000MHz
10pF
+/-10ppm
+/-20ppm
-40to+85°C
≤60Ω
≤100µW
Q22FA1280031800
2x1.6x0.5mm
FA-128
40.000000MHz
10pF
+/-30ppm
+/-30ppm
-20to+75°C
≤60Ω
≤100µW
Q22FA1280032100
2x1.6x0.5mm
FA-128
48.000000MHz
7pF
+/-30ppm
+/-30ppm
-20to+75°C
≤60Ω
≤100µW
愛(ài)普生晶振泛音:晶振體動(dòng)的機(jī)械諧波.泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍,這是它與電氣諧波的主要區(qū)別.泛音振動(dòng)有3次泛音,5次泛音,7次泛音,9次泛音等.
愛(ài)普生晶振基頻:在振動(dòng)模式最低階次的振動(dòng)頻率.
愛(ài)普生晶振激勵(lì)電平:日產(chǎn)晶振晶體工作時(shí)所消耗功率的表征值.
愛(ài)普生晶振激勵(lì)電平可選值有:2mW、1mW、0.5mW、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等.
愛(ài)普生晶振負(fù)載諧振電阻:在負(fù)載諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻.用RL表示. RL=R1(1+C0/CL2
愛(ài)普生晶振,Q22FA1280029800石英晶體
日本愛(ài)普生晶振靜電容:等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容,也叫并電容,通常用C0表示.
日本愛(ài)普生晶振老化率:在規(guī)定條件下,晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對(duì)變化.以年為時(shí)間單位衡量時(shí)稱為年老化率.
日本愛(ài)普生晶振溫度頻差:在規(guī)定條件下,在工作溫度范圍內(nèi)相對(duì)于基準(zhǔn)溫度(25±2℃)時(shí)工作頻率的允許偏差.
日本進(jìn)口晶振調(diào)整頻差:在規(guī)定條件下,基準(zhǔn)溫度(25±2℃)時(shí)工作頻率相對(duì)于標(biāo)稱頻率所允許的偏差.
日本愛(ài)普生晶振工作頻率:晶體與工作電路共同產(chǎn)生的頻率.
日本愛(ài)普生晶振標(biāo)稱頻率:晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率,通常標(biāo)識(shí)在產(chǎn)品外殼上.
愛(ài)普生晶振,Q22FA1280029800石英晶體