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愛(ài)普生晶振Q22FA1280029800石英晶體能看懂的參數(shù)指標(biāo)描述

2022-09-01 10:30:27 壹兆電子

愛(ài)普生晶振Q22FA1280029800石英晶體能看懂的參數(shù)指標(biāo)描述

EPSON晶振動(dòng)態(tài)電阻:串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻.R1表示.

EPSON晶振負(fù)載諧振頻率(fL):在規(guī)定條件下,晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率.在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí),愛(ài)普生晶振負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè),在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí),則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè).

負(fù)載電容:與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容,通常用CL表示.

EPSON晶振負(fù)載電容系列是:8PF、12PF、15PF20PF、30PF50PF、100PF.

EPSON晶振只要可能就應(yīng)選推薦值:10PF20PF、30PF、50PF100PF.

愛(ài)普生晶振,Q22FA1280029800石英晶體

愛(ài)普生晶振編碼 長(zhǎng)x寬x高 型號(hào) 石英晶振頻率 負(fù)載 頻率25°C 頻率公差 工作溫度范圍 ESR最大 驅(qū)動(dòng)電平
Q22FA1280023600 2x1.6x0.5mm FA-128 25.000000MHz 18pF +/-30ppm +/-30ppm -20to+70°C ≤80Ω ≤100µW
Q22FA1280023800 2x1.6x0.5mm FA-128 25.000000MHz 18pF +/-30ppm +/-30ppm -40to+85°C ≤80Ω ≤100µW
Q22FA1280024100 2x1.6x0.5mm FA-128 30.000000MHz 10pF +/-10ppm +/-10ppm -20to+75°C ≤60Ω ≤100µW
Q22FA1280024200 2x1.6x0.5mm FA-128 27.000000MHz 10pF +/-30ppm +/-30ppm -40to+85°C ≤60Ω ≤100µW
Q22FA1280024400 2x1.6x0.5mm FA-128 24.000000MHz 10pF +/-15ppm +/-20ppm -40to+85°C ≤80Ω ≤100µW
Q22FA1280025000 2x1.6x0.5mm FA-128 24.000000MHz 9pF +/-20ppm +/-30ppm -40to+85°C ≤80Ω ≤100µW
Q22FA1280025200 2x1.6x0.5mm FA-128 27.000000MHz 12pF +/-30ppm +/-30ppm -40to+85°C ≤60Ω ≤100µW
Q22FA1280026100 2x1.6x0.5mm FA-128 20.000000MHz 7pF +/-10ppm +/-10ppm -20to+75°C ≤100Ω ≤100µW
Q22FA1280026500 2x1.6x0.5mm FA-128 25.000000MHz 18pF +/-10ppm +/-10ppm -20to+75°C ≤80Ω ≤100µW
Q22FA1280026700 2x1.6x0.5mm FA-128 30.000000MHz 10pF +/-30ppm +/-30ppm -20to+75°C ≤60Ω ≤100µW
Q22FA1280027100 2x1.6x0.5mm FA-128 24.000000MHz 8pF +/-30ppm +/-30ppm -40to+85°C ≤80Ω ≤100µW
Q22FA1280028400 2x1.6x0.5mm FA-128 48.000000MHz 12pF +/-30ppm +/-30ppm -20to+75°C ≤60Ω ≤100µW
Q22FA1280029800 2x1.6x0.5mm FA-128 25.000000MHz 20pF +/-30ppm +/-30ppm -40to+85°C ≤80Ω ≤100µW
Q22FA1280030000 2x1.6x0.5mm FA-128 27.120000MHz 10pF +/-10ppm +/-30ppm -40to+85°C ≤60Ω ≤100µW
Q22FA1280030100 2x1.6x0.5mm FA-128 48.000000MHz 12pF +/-30ppm +/-30ppm -40to+85°C ≤60Ω ≤100µW
Q22FA1280030200 2x1.6x0.5mm FA-128 48.000000MHz 10pF +/-30ppm +/-30ppm -40to+85°C ≤60Ω ≤100µW
Q22FA1280030300 2x1.6x0.5mm FA-128 36.000000MHz 8pF +/-10ppm +/-12ppm -30to+85°C ≤60Ω ≤100µW
Q22FA1280030400 2x1.6x0.5mm FA-128 24.000000MHz 8pF +/-10ppm +/-12ppm -30to+85°C ≤80Ω ≤100µW
Q22FA1280030500 2x1.6x0.5mm FA-128 32.000000MHz 10pF +/-10ppm +/-10ppm -20to+75°C ≤60Ω ≤100µW
Q22FA1280030800 2x1.6x0.5mm FA-128 16.000000MHz 12pF +/-10ppm +/-10ppm -20to+75°C ≤200Ω ≤100µW
Q22FA1280031100 2x1.6x0.5mm FA-128 25.000000MHz 18pF +/-30ppm +/-30ppm -20to+75°C ≤80Ω ≤100µW
Q22FA1280031400 2x1.6x0.5mm FA-128 24.000000MHz 18pF +/-30ppm +/-30ppm -20to+75°C ≤80Ω ≤100µW
Q22FA1280031500 2x1.6x0.5mm FA-128 27.120000MHz 10pF +/-10ppm +/-20ppm -40to+85°C ≤60Ω ≤100µW
Q22FA1280031800 2x1.6x0.5mm FA-128 40.000000MHz 10pF +/-30ppm +/-30ppm -20to+75°C ≤60Ω ≤100µW
Q22FA1280032100 2x1.6x0.5mm FA-128 48.000000MHz 7pF +/-30ppm +/-30ppm -20to+75°C ≤60Ω ≤100µW

愛(ài)普生晶振泛音:晶振體動(dòng)的機(jī)械諧波.泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍,這是它與電氣諧波的主要區(qū)別.泛音振動(dòng)有3次泛音,5次泛音,7次泛音,9次泛音等.

愛(ài)普生晶振基頻:在振動(dòng)模式最低階次的振動(dòng)頻率.

愛(ài)普生晶振激勵(lì)電平:日產(chǎn)晶振晶體工作時(shí)所消耗功率的表征值.

愛(ài)普生晶振激勵(lì)電平可選值有:2mW、1mW0.5mW、0.2mW0.1mW、50μW、20μW10μW、1μW0.1μW.

愛(ài)普生晶振負(fù)載諧振電阻:在負(fù)載諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻.RL表示. RLR11+C0/CL2

愛(ài)普生晶振,Q22FA1280029800石英晶體

QQ截圖20220901102851

日本愛(ài)普生晶振靜電容:等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容,也叫并電容,通常用C0表示.

日本愛(ài)普生晶振老化率:在規(guī)定條件下,晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對(duì)變化.以年為時(shí)間單位衡量時(shí)稱為年老化率.

日本愛(ài)普生晶振溫度頻差:在規(guī)定條件下,在工作溫度范圍內(nèi)相對(duì)于基準(zhǔn)溫度(25±2℃)時(shí)工作頻率的允許偏差.

日本進(jìn)口晶振調(diào)整頻差:在規(guī)定條件下,基準(zhǔn)溫度(25±2℃)時(shí)工作頻率相對(duì)于標(biāo)稱頻率所允許的偏差.

日本愛(ài)普生晶振工作頻率:晶體與工作電路共同產(chǎn)生的頻率.

日本愛(ài)普生晶振標(biāo)稱頻率:晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率,通常標(biāo)識(shí)在產(chǎn)品外殼上.

愛(ài)普生晶振,Q22FA1280029800石英晶體

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