精工愛普生株式會(huì)社（總經(jīng)理:碓井 稔,以下簡(jiǎn)稱為“愛普生”）在2008年正式和深圳市金洛鑫電子有限公司簽訂在中國(guó)區(qū)域深圳總代理簽訂合作協(xié)議,在同年期間蘇州愛普生水晶宣布將高端的石英晶體振蕩器生產(chǎn)重心轉(zhuǎn)移到中國(guó)蘇州愛普生工廠生產(chǎn),并且成立研發(fā)中心.因?yàn)橹悄苁謾C(jī),以及GPS衛(wèi)星導(dǎo)航的普及,有源晶振得到迅速的發(fā)展,并且從早期5X7mm的體積演變到今天2520mm體積的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,以下是有源石英晶體振蕩器部分產(chǎn)品型號(hào),愛普生料號(hào)等.
愛普生晶振,有源晶振,SG2016CAN晶振,X1G0048010002晶振,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體振蕩器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性2016晶振元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。
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型號(hào) |
符號(hào) |
參數(shù) |
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輸出規(guī)格 |
- |
CMOS |
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輸出頻率范圍 |
fo |
1.2~75MHZ |
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電源電壓 |
VCC |
1.6~3.63V |
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頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
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保存溫度范圍 |
T_stg |
-40-+85℃ |
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運(yùn)行溫度范圍 |
T_use |
-10-+70℃,-40-+85℃ |
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消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
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待機(jī)時(shí)電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
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輸出負(fù)載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
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波形對(duì)稱 |
SYM |
45-55% [at outputs cross point] |
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0電平電壓 |
VOL |
- |
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1電平電壓 |
VOH |
- |
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上升時(shí)間 下降時(shí)間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20-80% Output-OutputN] |
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差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247-0.454V |
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差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
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補(bǔ)償電壓 |
VOS |
1.125-1.375V |
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補(bǔ)償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
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交叉點(diǎn)電壓 |
Vcr |
- |
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OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
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OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
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輸出禁用時(shí)間 |
tPLZ |
200ns |
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輸出使能時(shí)間 |
tPZL |
2ms |
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周期抖動(dòng)（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
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tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
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總抖動(dòng)（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
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相位抖動(dòng) |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
愛普生有源進(jìn)口MHZ振蕩器型號(hào)列表:
愛普生有源進(jìn)口MHZ振蕩器編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-210SEBA
24.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-100 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SEBA
33.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 1.6 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SEBA
16.666600 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 1.6 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SEBA
14.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SEBA
37.125000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG2016CAN
24.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG2016CAN
25.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG2016CAN
16.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 1.8 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG2016CAN
74.250000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
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Model | Frequency | LxWxH |
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I [Max] | 25°C Aging | Aging2 | Symmetry | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G004611A012 | SG-210SEBA | 24.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 105 °C | +/-100 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G004611A013 | SG-210SEBA | 33.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 1.6 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G004611A014 | SG-210SEBA | 16.666600 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 1.6 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G004611A016 | SG-210SEBA | 14.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G004611A017 | SG-210SEBA | 37.125000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0048010002 | SG2016CAN | 24.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 2.2 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0048010012 | SG2016CAN | 25.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 2.2 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0048010014 | SG2016CAN | 16.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 1.8 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0048010016 | SG2016CAN | 74.250000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.0 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % |
晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)?b>進(jìn)口有源晶振規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。愛普生晶振,有源晶振,SG2016CAN晶振,X1G0048010002晶振
所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)1：抗沖擊:抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英貼片晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射。 3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4：粘合劑:請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致金屬面晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。） 5：鹵化合物:請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
環(huán)境行為評(píng)價(jià)：評(píng)價(jià)我們運(yùn)行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認(rèn)支撐著本方針的成績(jī).我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責(zé)完全結(jié)合的培訓(xùn).加強(qiáng)環(huán)境意識(shí)教育,提高小體積MHZ系列晶振環(huán)境意識(shí),充分調(diào)動(dòng)職工的積極性,積極使用溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）,,石英晶振,有源晶振環(huán)保型原材料,減少生產(chǎn)過程中的廢棄物產(chǎn)生量,努力向相關(guān)方施加環(huán)境影響.愛普生晶振,有源晶振,SG2016CAN晶振,X1G0048010002晶振
我們的活動(dòng)、產(chǎn)品和服務(wù)首先要遵守和符合有關(guān)環(huán)境的法律和其他環(huán)境要求.努力探索生產(chǎn)中所使用的有毒有害物質(zhì)的替代,本著污染預(yù)防的思想,使我們的有源晶振,壓控振蕩器,振蕩器2016,石英晶振更趨于綠色,提高本公司的社會(huì)形象.
愛普生晶振環(huán)境影響的最小化：遵照社會(huì)的期望,改進(jìn)的環(huán)境行為,我們將通過2016普通有源晶振有效利用森林、能源以及其它資源,減少形式的廢物來實(shí)現(xiàn)這一承諾.愛普生晶振環(huán)境管理體系：在每一個(gè)運(yùn)行部門,實(shí)施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財(cái)力保障.每年我們都將建立可測(cè)量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)的目標(biāo)和指標(biāo).
聯(lián)系人：龔成
QQ：769468702
手機(jī)：13590198504
郵箱:zhaoxiandz@163.com
網(wǎng)站:http://m.amongcoders.com
NDK晶振,貼片晶振,NX2016SA晶振,石英進(jìn)口晶振
NDK晶振,貼片晶振,NX2016SF晶振,進(jìn)口無源晶振
CTS晶振,貼片晶振,402晶振
GEYER晶振,貼片晶振,KX-5晶振
