愛普生晶振,有源晶振,SG-210SCD晶振,X1G0029210002晶振
頻率：50~80MHZ
尺寸：2.*52.0mm
在2010年全球晶振廠家排名中,占據首位.愛普生僅此一項水晶振動子行業(yè)就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已.愛普生晶振以32.768KHZ晶振稱霸晶振行業(yè),主要消費在手機,PCB,等電子產品.同時愛普生以提供原子鐘的精準振蕩器知名業(yè)界.僅此在音叉振子和振蕩器還遠遠達不到愛普生本身的要求.他們要求的是在元器件占領NO1.
愛普生晶振,有源晶振,SG-210SCD晶振,X1G0029210002晶振,2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產品的福音,目前超小型的智能手機里面所應用的就是小型的石英晶振,該產品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網,已實現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩(wěn)定度,超小型,質量輕等產品特點,產品本身編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機應用,以及高溫回流焊接（產品無鉛對應）,為無鉛產品.
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術：有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產過程必須要解決的技術難題。在設計過程中除了要考慮石英晶體振蕩器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性，必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數(shù)。
|
型號 |
符號 |
參數(shù) |
|
輸出規(guī)格 |
- |
CMOS |
|
輸出頻率范圍 |
fo |
50~80MHZ |
|
電源電壓 |
VCC |
2.7~3.6V |
|
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
|
保存溫度范圍 |
T_stg |
-40-+85℃ |
|
運行溫度范圍 |
T_use |
-10-+70℃ ,-40-+85℃ |
|
消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
|
待機時電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
|
輸出負載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
|
波形對稱 |
SYM |
45-55% [at outputs cross point] |
|
0電平電壓 |
VOL |
- |
|
1電平電壓 |
VOH |
- |
|
上升時間 下降時間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20-80% Output-OutputN] |
|
差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247-0.454V |
|
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
|
補償電壓 |
VOS |
1.125-1.375V |
|
補償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
|
交叉點電壓 |
Vcr |
- |
|
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
|
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
|
輸出禁用時間 |
tPLZ |
200ns |
|
輸出使能時間 |
tPZL |
2ms |
|
周期抖動（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
|
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
|
總抖動（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
|
相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
愛普生有源進口MHZ振蕩器編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-771PCD
133.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.80 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-30 ppm
≤ 70.0 mA
Included in Frequency tolerance First years
40 to 60 %
SG-771PCD
133.333300 MHz
7.00 x 5.00 x 1.80 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-30 ppm
≤ 70.0 mA
Included in Frequency tolerance First years
40 to 60 %
SG-771PCD
98.304000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.80 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-30 ppm
≤ 70.0 mA
Included in Frequency tolerance First years
40 to 60 %
SG-771PCD
156.250000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.80 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-30 ppm
≤ 70.0 mA
Included in Frequency tolerance First years
40 to 60 %
SG-210SCD
75.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 8.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
SG-210SCD
75.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 8.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
SG-210SCD
74.250000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 8.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
SG-210SCD
66.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 8.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
|
Model | Frequency | LxWxH |
|
|
|
I [Max] | 25°C Aging | Aging2 | Symmetry | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0028210116 | SG-771PCD | 133.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.80 mm | LV-PECL | -40 to 85 °C | +/-30 ppm | ≤ 70.0 mA | Included in Frequency tolerance First years | 40 to 60 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0028210117 | SG-771PCD | 133.333300 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.80 mm | LV-PECL | -40 to 85 °C | +/-30 ppm | ≤ 70.0 mA | Included in Frequency tolerance First years | 40 to 60 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0028210118 | SG-771PCD | 98.304000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.80 mm | LV-PECL | -40 to 85 °C | +/-30 ppm | ≤ 70.0 mA | Included in Frequency tolerance First years | 40 to 60 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0028210121 | SG-771PCD | 156.250000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.80 mm | LV-PECL | -40 to 85 °C | +/-30 ppm | ≤ 70.0 mA | Included in Frequency tolerance First years | 40 to 60 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0029210002 | SG-210SCD | 75.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 8.0 mA | +/-3ppm | 10ppm ;@?ºC,10Years | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0029210008 | SG-210SCD | 75.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 8.0 mA | +/-3ppm | 10ppm ;@?ºC,10Years | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0029210017 | SG-210SCD | 74.250000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 8.0 mA | +/-3ppm | 10ppm ;@?ºC,10Years | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0029210019 | SG-210SCD | 66.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 8.0 mA | +/-3ppm | 10ppm ;@?ºC,10Years | 45 to 55 % |
存儲事項:(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶振時,會影響壓電晶體頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶振產品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。愛普生晶振,有源晶振,SG-210SCD晶振,X1G0029210002晶振
機械振動的影響:當貼片晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質量有影響。盡管晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。
PCB設計指導:(1) 理想情況下,機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于金屬面晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當應用于PCB板本身或PCB板體內部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內部板體特性。(2) 在設計時請參考相應的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
愛普生晶振環(huán)境影響的最小化：遵照社會的期望,改進的環(huán)境行為,我們將通過有效利用森林、能源以及其它資源,減少振蕩器2520形式的廢物來實現(xiàn)這一承諾.愛普生晶振環(huán)境管理體系：在每一個運行部門,實施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當?shù)娜肆Y源和充分的財力保障.每年我們都將建立可測量的環(huán)境管理以及行為改進的目標和指標. 愛普生晶振,有源晶振,SG-210SCD晶振,X1G0029210002晶振
環(huán)境行為評價：評價我們運行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認支撐著本方針的成績.我們將向我們的員工提供信息,以及能夠將方針與各自工作職責完全結合的培訓.加強環(huán)境意識教育,提高環(huán)境意識,充分調動職工的積極性,積極使用溫補晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）,四腳貼片晶振,石英晶振,有源晶振環(huán)保型原材料,減少生產過程中的廢棄物產生量,努力向相關方施加環(huán)境影響.
我們的活動、產品和服務首先要遵守和符合有關環(huán)境的法律和其他環(huán)境要求.努力探索生產中所使用的有毒有害物質的替代,本著污染預防的思想,使我們的有源晶振,壓控振蕩器,低電壓晶振,石英晶振更趨于綠色,提高本公司的社會形象.
聯(lián)系人：龔成
QQ：769468702
手機：13590198504
郵箱:zhaoxiandz@163.com
網站:http://m.amongcoders.com
采購：愛普生晶振,有源晶振,SG-210SCD晶振,X1G0029210002晶振
- *聯(lián)系人：
- *手機：
- 公司名稱：
- 郵箱：
- *采購意向：
-
*驗證碼：
跟此產品相關的產品 / Related Products
- 愛普生晶振,有源晶振,SG-211SDE晶振,X1G0036310003晶振
- 貼片石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,衛(wèi)星系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET發(fā)射基站等領域.符合RoHS/無鉛.
- 愛普生晶振,有源晶振,SG-211SEE晶振,X1G0036410002晶振
- 有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊盤（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.
- 愛普生晶振,有源晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振
- 2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產品的福音,目前超小型的智能手機里面所應用的就是小型的石英晶振,該產品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網,已實現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩(wěn)定度,超小型,質量輕等產品特點,產品本身編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機應用,以及高溫回流焊接（產品無鉛對應）,為無鉛產品.
晶振廠家
臺產晶振
日產晶振
歐美晶振
- CTS晶振
- 微晶晶振
- 瑞康晶振
- 康納溫菲爾德
- 高利奇晶振
- Jauch晶振
- AbraconCrystal
- 維管晶振
- ECScrystal晶振
- 日蝕晶振
- 拉隆晶振
- 格林雷晶振
- SiTimeCrystal
- IDTcrystal晶振
- Pletronics晶振
- Statek晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
- Cardinal晶振
- Crystek晶振
- Euroquartz晶振
- FOX晶振
- Frequency晶振
- GEYER晶振
- ILSI晶振
- MMDCOMP晶振
- MtronPTI晶振
- QANTEK晶振
- QuartzCom晶振
- QuartzChnik晶振
- SUNTSU晶振
- Transko晶振
- WI2WI晶振
- 韓國三呢晶振
- ACT晶振
- MTI-Milliren晶振
- LiHom晶振
- Rubyquartz晶振
- Oscilent晶振
- SHINSUNG晶振
- ITTI晶振
- PDI晶振
- C-TECH晶振
- KVG晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NIC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
- Bliley晶振
- GED晶振
- Filtronetics晶振
- STD晶振
- Q-Tech晶振
- Anderson晶振
- Wenzel晶振
- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
- ARGO晶振
- Skyworks晶振
- Renesas瑞薩晶振
32.768K
有源晶振
貼片晶振
應用領域
電話：86-0755-27876236
手機：135-9019-8504
QQ：769468702
地址：中國廣東深圳市寶安區(qū)沙井街道上星咸夫大廈F座2號903
