愛普生晶振,有源晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振
頻率:73.5~700MHZ
尺寸:3.2*2.5mm

在2010年全球晶振廠家排名中,占據(jù)首位.愛普生僅此一項(xiàng)水晶振動(dòng)子行業(yè)就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已.愛普生晶振以32.768KHZ晶振稱霸晶振行業(yè),主要消費(fèi)在手機(jī),PCB,等電子產(chǎn)品.同時(shí)愛普生以提供原子鐘的精準(zhǔn)振蕩器知名業(yè)界.僅此在音叉振子和振蕩器還遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到愛普生本身的要求.他們要求的是在元器件占領(lǐng)NO1.
愛普生晶振,有源晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振,智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等數(shù)碼產(chǎn)品類別,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無鉛工作的高溫回流溫度曲線要求.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):3225晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。
型號(hào) |
符號(hào) |
參數(shù) |
輸出規(guī)格 |
- |
LVDS |
輸出頻率范圍 |
fo |
73.5~700MHZ |
電源電壓 |
VCC |
2.5~3.3V |
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
保存溫度范圍 |
T_stg |
-40-+85℃ |
運(yùn)行溫度范圍 |
T_use |
-10-+70℃ ,-40-+85℃ |
消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
待機(jī)時(shí)電流(#1引腳"L") |
I_std |
10μA max. |
輸出負(fù)載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
波形對(duì)稱 |
SYM |
45-55% [at outputs cross point] |
0電平電壓 |
VOL |
- |
1電平電壓 |
VOH |
- |
上升時(shí)間 下降時(shí)間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20-80% Output-OutputN] |
差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247-0.454V |
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=|VOD1VOD2|] |
補(bǔ)償電壓 |
VOS |
1.125-1.375V |
補(bǔ)償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
交叉點(diǎn)電壓 |
Vcr |
- |
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
輸出禁用時(shí)間 |
tPLZ |
200ns |
輸出使能時(shí)間 |
tPZL |
2ms |
周期抖動(dòng)(1) |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
總抖動(dòng)(1) |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
相位抖動(dòng) |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
愛普生有源進(jìn)口MHZ振蕩器編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-210STF
33.333333 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210STF
4.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 1.8 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210STF
33.330000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210STF
10.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 1.8 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG3225VAN
125.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG3225VAN
125.006250 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG3225VAN
100.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG3225VAN
200.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G0041710298
SG-210STF
33.333333 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0041710299
SG-210STF
4.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 1.8 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0041710300
SG-210STF
33.330000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0041710304
SG-210STF
10.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 1.8 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0042410001
SG3225VAN
125.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042410002
SG3225VAN
125.006250 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042410004
SG3225VAN
100.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0042410005
SG3225VAN
200.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
LVDS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 30.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)金屬面晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。 愛普生晶振,有源晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振
PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo):(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于石英晶體振蕩器器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存晶振時(shí),會(huì)影響進(jìn)口石英晶振頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲(chǔ)藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
愛普生晶振集團(tuán)所生產(chǎn)的壓電石英晶體、,有源晶體,溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)、金屬面晶體振蕩器,恒溫晶體振蕩器(OCXO)完全符合ISO14001環(huán)境管理體系標(biāo)準(zhǔn)的要求,體現(xiàn)了一個(gè)適合、三個(gè)承諾和一個(gè)框架:建造美麗家園——適合于我公司的生產(chǎn)活動(dòng)、產(chǎn)品以及服務(wù)過程的性質(zhì).規(guī)模與環(huán)境影響;持續(xù)改進(jìn)——持續(xù)改進(jìn)環(huán)境績效和環(huán)境管理體系的承諾;愛普生晶振,有源晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振
減少污染,節(jié)能降耗——污染預(yù)防的承諾;依法治理——遵守現(xiàn)行適用的環(huán)境法律、法規(guī)和其他要求的承諾;“減少污染,節(jié)能降耗,建造美麗家園;依法治理,持續(xù)改進(jìn),凈化一片藍(lán)天”提供了建立和評(píng)審環(huán)境目標(biāo)和指標(biāo)的框架.愛普生晶振環(huán)境影響的最小化:遵照社會(huì)的期望,改進(jìn)我們的環(huán)境行為,我們將通過3225晶體振蕩器有效利用森林、能源以及其它資源,減少各種形式的廢物來實(shí)現(xiàn)這一承諾.
愛普生晶振環(huán)境管理體系:在每一個(gè)運(yùn)行部門,實(shí)施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財(cái)力保障.每年我們都將建立可測量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)貼片晶體振蕩器的目標(biāo)和指標(biāo). 環(huán)境行為評(píng)價(jià):評(píng)價(jià)我們運(yùn)行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認(rèn)支撐著本方針的成績.我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責(zé)完全結(jié)合的培訓(xùn).

聯(lián)系人:龔成
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