愛普生晶振,SPXO晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振
頻率：80-170MHZ
尺寸：7.0*5.0mm
有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產(chǎn)品需要..
愛普生晶振,SPXO晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高的溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高的溫回流溫度曲線要求.
石英晶振高精度晶片的拋光技術：普通石英晶體振蕩器是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。
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項目 |
符號 |
規(guī)格說明 |
條件 |
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輸出頻率范圍 |
f0 |
80-170MHZ |
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電源電壓 |
VCC |
1.6-3.6V |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40℃ to +125℃ |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
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H: -20℃ to +70℃ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±25× 10-6 |
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L: ±30× 10-6 |
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T: ±50× 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負載條件、最大工作頻率 |
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待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
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輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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輸出負載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
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VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
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振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
Product Number
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Model
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Frequency
|
LxWxH
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Output Wave
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Ope Temperature 
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Freq. Tol.
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I [Max]
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25°C Aging
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Aging2
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Symmetry
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| X1G0045010001 | SG7050CCN | 4.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.50 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 20.0 mA | +/-5ppm | 40 to 60 % | |
| X1G0045010003 | SG7050CCN | 16.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.50 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 20.0 mA | +/-5ppm | 40 to 60 % | |
| X1G0045010004 | SG7050CCN | 48.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.50 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 20.0 mA | +/-5ppm | 40 to 60 % | |
| X1G0045010005 | SG7050CCN | 11.059200 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.50 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 20.0 mA | +/-5ppm | 40 to 60 % | |
| X1G0045010006 | SG7050CCN | 20.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.50 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 20.0 mA | +/-5ppm | 40 to 60 % | |
| X1G0045010007 | SG7050CCN | 50.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.50 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 20.0 mA | +/-5ppm | 40 to 60 % | |
| X1G0045010008 | SG7050CCN | 25.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.50 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 20.0 mA | +/-5ppm | 40 to 60 % | |
| X1G0045010009 | SG7050CCN | 33.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.50 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 20.0 mA | +/-5ppm | 40 to 60 % | |
| X1G0045010010 | SG7050CCN | 40.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.50 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 20.0 mA | +/-5ppm | 40 to 60 % | |
| X1G0045010011 | SG7050CCN | 44.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.50 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 20.0 mA | +/-5ppm | 40 to 60 % |
愛普生有源晶體振蕩器產(chǎn)品列表:
（1）線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)
（2）從起點到振蕩的停止點調(diào)整R的值。
（3）振蕩期間測量R的值。
（4）你將能夠獲得負電阻的值，|·R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。
附：所連接的電路的雜散電容，可能會影響測定值。
如果晶振的參數(shù)是正常的，但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路。如果是這樣的話，我們有三種方法來改善這樣的情況：
降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他貼片晶振具有較低負載電容（CL）。
采用具有較低電阻（RR）的石英晶振。
使用光盤和CG的不等價的設計。我們可以增加鎘（XOUT）的負載電容和降低CG（辛）的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。
當有信號輸出從XOUT但不辛，其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的。我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間，以驅動后端電路。
但1-5的方法上面提到的，你也可以按照步驟1-4-4的三種方法。如有不明白請聯(lián)系我公司晶振的應用工程師和IC制造商尋求進一步的幫助，如果你的問題不能得到解決。系統(tǒng)無法運行，因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅。
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愛普生晶振環(huán)?；纠砟睿?/span>
1.作為良好的企業(yè)市民，遵循本公司的行動方針，充分關心維護地球環(huán)境。遵守國內(nèi)外的有關環(huán)保法規(guī)。
2.保護自然環(huán)境，7050石英振子充分關注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護，維持和保全生物多樣性。
3.有效利用資源和能源，認識到資源和能源的有限性，努力進行有效利用。
4為構建循環(huán)型社會做出貢獻，貼片晶體振蕩器致力于減少廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán)，努力構建循環(huán)型社會。
5.推進環(huán)保型業(yè)務，充分發(fā)揮綜合實力，推進環(huán)保型業(yè)務，為減輕社會的環(huán)境負荷做出貢獻。
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