KDS晶振,壓控晶振,DSV321SV晶振,1XVD059928VA晶振
頻率:3.75-90MHZ
尺寸:3.2*2.5mm
KDS晶振,壓控晶振,DSV321SV晶振,1XVD059928VA晶振,3225mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.
貼片晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使陶瓷晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一
項目 |
符號 |
規(guī)格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
3.75-90MHZ |
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電源電壓 |
VCC |
2.8-3.3V |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40℃ to +85℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -10℃ to +70℃ |
請聯(lián)系我們查看更多資料http://m.amongcoders.com |
H: -30℃ to +85℃ |
|||
|
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負載條件、最大工作頻率 |
待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負載條件 |
L_CMOS |
15pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
KDS有源晶振產(chǎn)品列表:
如果由頻率計數(shù)器測量的頻率比目標頻率高,要增加石英晶振的電容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低頻率到目標頻率,反之亦然。請檢查波形幅度是否改善或沒有經(jīng)過我們調(diào)整頻率。如果它的改善,這表示該電路的原始設(shè)計不是調(diào)諧到最佳共振點為晶體的情況。該晶振應(yīng)正常后,諧振點的調(diào)整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標頻率,我們可以通過以下三種方法改進:
方法1:降低產(chǎn)品線路外部電容(Cd和CG)的值,并通過有源晶體具有較低負載電容(CL)。
方法2:采用小電阻(RR)的晶體。
方法3:使用鎘和CG的不等價的設(shè)計。
我們可以增加鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來節(jié)省成本,保證安全。請用頻率計數(shù)器來測量所述晶體,以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進行了改進。如果頻率不符合規(guī)格,請采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標頻率。請采用貼片晶振具有較低的CL如果頻率比目標頻率,反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作,由于輸出頻率會偏差很大。
KDS晶振,壓控晶振,DSV321SV晶振,1XVD059928VA晶振
在設(shè)定環(huán)保目與目標展開活動的同時,定期重審環(huán)境管理體系,努力提高環(huán)?;顒拥乃健DS晶振通過與地區(qū)的交流及社會貢獻活動,3225貼片型壓控晶振為地區(qū)的環(huán)保做貢獻。將環(huán)?;顒拥男畔⑾蚬緝?nèi)外公開,積極努力的與地區(qū)社會及相關(guān)人員建立信賴關(guān)系,為社會的發(fā)展做出貢獻。
通過此方針的公文化,壓控振蕩器在向公司員工及從事本事業(yè)領(lǐng)域業(yè)務(wù)的所有相關(guān)人員徹底傳達的同時,也向公司外部公開。KDS晶振集團將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟性環(huán)境目標,并確保其環(huán)境保護活動的質(zhì)量。
KDS晶振,壓控晶振,DSV321SV晶振,1XVD059928VA晶振


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