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京瓷晶振,有源晶振,KC2016B晶振,KC2016B25.0000C1GE00晶振

頻率：1.5-50MHZ

尺寸：2.0*1.6mm

有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,2016晶振斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要..

訂購熱線：0755-27876236

京瓷晶振,有源晶振,KC2016B晶振,KC2016B25.0000C1GE00晶振,小型SMD有源晶振,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

有源晶振頻率越高一般價格越高。但頻率越高，頻差越大，從綜合角度考慮，一般工程師會選用頻率低但穩(wěn)定的晶振，自己做倍頻電路?？傊?/span>有源晶振是根據(jù)需要去選擇合適的頻率，并不是晶振頻率越大就越好。要看具體需求。比如基站中一般用10MHz的恒溫晶振（OCXO），因其有很好的頻率穩(wěn)定性，屬于高端晶振。至于范圍，晶振的頻率做的太高的話，就會失去意義，因為有其他更好的晶振頻率產(chǎn)品代替。

項目	符號	規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f0	1.5-50 MHz	請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	VCC	1.60-3.63 V	請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -10℃ to +70℃	請聯(lián)系我們查看更多資料http://m.amongcoders.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±30× 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	無負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	VOH	VCC-0.4V Min.
輸出電壓	VOL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	VIH	80% VCC Max.	ST 終端
輸入電壓	VIL	20 % VCC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

京瓷有源貼片晶振編碼列表:

Manufacturer Part Number	Manufacturer	Series	Part Status	Frequency 頻率	Voltage - Supply電壓	Operating Temperature 工作溫度	Size / Dimension 尺寸	Height - Seated (Max)高度
KC2016B25.0000C1GE00	AVX Corp/Kyocera Corp	KC2016B-C1	Active	25MHz	1.6 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C	0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)	0.022" (0.55mm)
KC2016B25.0000C1GE00	AVX Corp/Kyocera Corp	KC2016B-C1	Active	25MHz	1.6 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C	0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)	0.022" (0.55mm)
KC2016B25.0000C1GE00	AVX Corp/Kyocera Corp	KC2016B-C1	Active	25MHz	1.6 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C	0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)	0.022" (0.55mm)
KC2016B27.0000C1GE00	AVX Corp/Kyocera Corp	KC2016B-C1	Active	27MHz	1.6 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C	0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)	0.022" (0.55mm)
KC2016B27.0000C1GE00	AVX Corp/Kyocera Corp	KC2016B-C1	Active	27MHz	1.6 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C	0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)	0.022" (0.55mm)
KC2016B27.0000C1GE00	AVX Corp/Kyocera Corp	KC2016B-C1	Active	27MHz	1.6 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C	0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)	0.022" (0.55mm)
KC2016B3.68640C1FE00	AVX Corp/Kyocera Corp	KC2016B-C1	Active	3.6864MHz	1.6 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C	0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)	0.022" (0.55mm)

KC2016B_c1_2.0_1.6

京瓷有源貼片晶振產(chǎn)品列表

KC2016B KC2520B

一般來說，微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：

鎘和CG是外部負(fù)載電容，其中已建成的芯片組。（請參閱芯片組的規(guī)格）

Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。

Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路，但僅用于具有高電源電路。

一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻，其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。

例如，為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中，貼片晶振IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）以下說明：

線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)

（2）從起點到振蕩的停止點調(diào)整R的值。

（3）振蕩期間測量R的值。

（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值，|·R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。

附：所連接的電路的雜散電容，可能會影響測定值。

如果晶振的參數(shù)是正常的，但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路。如果是這樣的話，我們有三種方法來改善這樣的情況：

降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容（CL）。

采用具有較低電阻（RR）的有源晶振。

使用光盤和CG的不等價的設(shè)計。我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。

當(dāng)有信號輸出從XOUT但不辛，其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的。我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間，以驅(qū)動后端電路。

但1-5的方法上面提到的，你也可以按照步驟1-4-4的三種方法。如有不明白請聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進(jìn)一步的幫助，如果你的問題不能得到解決。系統(tǒng)無法運行，因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅。

京瓷晶振,有源晶振,KC2016B晶振,KC2016B25.0000C1GE00晶振

京瓷晶振全體員工都積極地投身環(huán)?；顒?希望能夠在兼顧環(huán)保性和經(jīng)濟(jì)性的同時,實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展。希望通過實踐京瓷哲學(xué),解決CSR課題,并構(gòu)建與利益相關(guān)者相互信賴的關(guān)系,實現(xiàn)集團(tuán)的可持續(xù)發(fā)展,SPXO振蕩器同時為社會的健全發(fā)展做出貢獻(xiàn)。

京瓷晶振的各項能源、資源消耗指標(biāo)和排放指標(biāo)達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)水平。實施創(chuàng)新戰(zhàn)略，提高自主創(chuàng)新能力，確保公司可持續(xù)發(fā)展。實施節(jié)約戰(zhàn)略，提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力，四腳貼片2016晶振確保實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo)。京瓷晶振集團(tuán)希望銷售的所有產(chǎn)品都能為地球環(huán)保做貢獻(xiàn)，因此致力于開發(fā)環(huán)境友好型產(chǎn)品。

通過這些努力，在2015年度，環(huán)保商品的比例達(dá)到了99%。今后，京瓷晶振集團(tuán)將繼續(xù)開展相關(guān)活動，為提供更多環(huán)境友好型產(chǎn)品而努力。尤其是在節(jié)能、溫室效應(yīng)對策方面,引進(jìn)節(jié)能設(shè)備、安裝太陽能發(fā)電系統(tǒng)、實施墻面綠化等開展了一系列節(jié)能活動。

京瓷晶振,有源晶振,KC2016B晶振,KC2016B25.0000C1GE00晶振