石英晶振的切割設(shè)計(jì):用不同角度對(duì)高效有源晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。

項(xiàng)目 |
符號(hào) |
規(guī)格說(shuō)明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
1.5-125MHZ |
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電源電壓 |
VCC |
1.60-3.63 V |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55℃to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -10℃to +70℃ |
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H: -40℃to +105℃ |
|||
J: -40℃to +125℃ |
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±30× 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST終端 |
VIL |
20 % VCCMax. |
||
上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25℃,初年度,第一年 |
京瓷有源貼片晶振編碼列表:
ManufacturerPartNumber | Manufacturer | Series | PartStatus | Frequency頻率 | Voltage-Supply電壓 | OperatingTemperature工作溫度 | Size/Dimension尺寸 | Height-Seated(Max)高度 |
KC2520B24.0000C10E00 | AVXCorp/KyoceraCorp | KC2520B-C1 | Active | 24MHz | 1.6V~3.63V | -10°C~70°C | 0.098"Lx0.079"W(2.50mmx2.00mm) | 0.028"(0.70mm) |
KC2520B24.0000C10E00 | AVXCorp/KyoceraCorp | KC2520B-C1 | Active | 24MHz | 1.6V~3.63V | -10°C~70°C | 0.098"Lx0.079"W(2.50mmx2.00mm) | 0.028"(0.70mm) |
KC2520B24.0000C10E00 | AVXCorp/KyoceraCorp | KC2520B-C1 | Active | 24MHz | 1.6V~3.63V | -10°C~70°C | 0.098"Lx0.079"W(2.50mmx2.00mm) | 0.028"(0.70mm) |
KC2520B48.0000C10E00 | AVXCorp/KyoceraCorp | KC2520B-C1 | Active | 48MHz | 1.6V~3.63V | -10°C~70°C | 0.098"Lx0.079"W(2.50mmx2.00mm) | 0.028"(0.70mm) |
KC2520B48.0000C10E00 | AVXCorp/KyoceraCorp | KC2520B-C1 | Active | 48MHz | 1.6V~3.63V | -10°C~70°C | 0.098"Lx0.079"W(2.50mmx2.00mm) | 0.028"(0.70mm) |
KC2520B48.0000C10E00 | AVXCorp/KyoceraCorp | KC2520B-C1 | Active | 48MHz | 1.6V~3.63V | -10°C~70°C | 0.098"Lx0.079"W(2.50mmx2.00mm) | 0.028"(0.70mm) |
KC2520B25.0000C10E00 | AVXCorp/KyoceraCorp | KC2520B-C1 | Active | 25MHz | 1.6V~3.63V | -10°C~70°C | 0.098"Lx0.079"W(2.50mmx2.00mm) | 0.028"(0.70mm) |
KC2520B25.0000C10E00 | AVXCorp/KyoceraCorp | KC2520B-C1 | Active | 25MHz | 1.6V~3.63V | -10°C~70°C | 0.098"Lx0.079"W(2.50mmx2.00mm) | 0.028"(0.70mm) |

京瓷有源貼片晶振產(chǎn)品列表
有源晶振的負(fù)載電容與阻抗
負(fù)載電容與阻抗有源晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值。當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿足時(shí),指定的值這可能會(huì)導(dǎo)致問(wèn)題例如:失真的輸出波形。特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗。輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測(cè)量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測(cè)量?jī)x器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器。當(dāng)輸入阻抗的測(cè)量?jī)x器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測(cè)量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測(cè)量可以忽略。
機(jī)械處理
當(dāng)有源晶振發(fā)生外置撞擊時(shí),任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強(qiáng)烈的外置撞擊都將會(huì)導(dǎo)致晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器。如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點(diǎn)。
京瓷晶振,有源晶振,KC2520B-C1晶振,KC2520B24.0000C10E00晶振

京瓷晶振全體員工都積極地投身環(huán)?;顒?dòng),希望能夠在兼顧環(huán)保性和經(jīng)濟(jì)性的同時(shí),實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展。貼片型石英晶體振蕩器尤其是在節(jié)能、溫室效應(yīng)對(duì)策方面,引進(jìn)節(jié)能設(shè)備、安裝太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)、實(shí)施墻面綠化等開展了一系列節(jié)能活動(dòng)。此外,還開展了保護(hù)生物多樣性等活動(dòng)。京瓷晶振為區(qū)域發(fā)展所做的貢獻(xiàn)受到了高度評(píng)價(jià),連續(xù)6年榮獲日本環(huán)境省頒發(fā)的"防止全球變暖活動(dòng)環(huán)境大臣表彰獎(jiǎng)",成為獲獎(jiǎng)次數(shù)最多的企業(yè)。
京瓷晶振的各項(xiàng)能源、資源消耗指標(biāo)和排放指標(biāo)達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平。
實(shí)施創(chuàng)新戰(zhàn)略,2520有源晶振提高自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展。實(shí)施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo)。
京瓷晶振,有源晶振,KC2520B-C1晶振,KC2520B24.0000C10E00晶振

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