愛普生晶振Q22FA1280029800石英晶體能看懂的參數(shù)指標(biāo)描述
愛普生晶振Q22FA1280029800石英晶體能看懂的參數(shù)指標(biāo)描述
EPSON晶振動態(tài)電阻:串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻.用R1表示.
EPSON晶振負(fù)載諧振頻率(fL):在規(guī)定條件下,晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時的兩個頻率中的一個頻率.在串聯(lián)負(fù)載電容時,愛普生晶振負(fù)載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個,在并聯(lián)負(fù)載電容時,則是兩個頻率中較高的一個.
負(fù)載電容:與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容,通常用CL表示.
EPSON晶振負(fù)載電容系列是:8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF.
EPSON晶振只要可能就應(yīng)選推薦值:10PF、20PF、30PF、50PF、100PF.
愛普生晶振,Q22FA1280029800石英晶體
愛普生晶振編碼
長x寬x高
型號
石英晶振頻率
負(fù)載
頻率25°C
頻率公差
工作溫度范圍
ESR最大
驅(qū)動電平
Q22FA1280023600
2 x 1.6 x 0.5mm
FA-128
25.000000 MHz
18 pF
+/-30 ppm
+/-30 ppm
-20 to +70 °C
≤ 80 Ω
≤ 100 µW
Q22FA1280023800
2 x 1.6 x 0.5mm
FA-128
25.000000 MHz
18 pF
+/-30 ppm
+/-30 ppm
-40 to +85 °C
≤ 80 Ω
≤ 100 µW
Q22FA1280024100
2 x 1.6 x 0.5mm
FA-128
30.000000 MHz
10 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +75 °C
≤ 60 Ω
≤ 100 µW
Q22FA1280024200
2 x 1.6 x 0.5mm
FA-128
27.000000 MHz
10 pF
+/-30 ppm
+/-30 ppm
-40 to +85 °C
≤ 60 Ω
≤ 100 µW
Q22FA1280024400
2 x 1.6 x 0.5mm
FA-128
24.000000 MHz
10 pF
+/-15 ppm
+/-20 ppm
-40 to +85 °C
≤ 80 Ω
≤ 100 µW
Q22FA1280025000
2 x 1.6 x 0.5mm
FA-128
24.000000 MHz
9 pF
+/-20 ppm
+/-30 ppm
-40 to +85 °C
≤ 80 Ω
≤ 100 µW
Q22FA1280025200
2 x 1.6 x 0.5mm
FA-128
27.000000 MHz
12 pF
+/-30 ppm
+/-30 ppm
-40 to +85 °C
≤ 60 Ω
≤ 100 µW
Q22FA1280026100
2 x 1.6 x 0.5mm
FA-128
20.000000 MHz
7 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +75 °C
≤ 100 Ω
≤ 100 µW
Q22FA1280026500
2 x 1.6 x 0.5mm
FA-128
25.000000 MHz
18 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +75 °C
≤ 80 Ω
≤ 100 µW
Q22FA1280026700
2 x 1.6 x 0.5mm
FA-128
30.000000 MHz
10 pF
+/-30 ppm
+/-30 ppm
-20 to +75 °C
≤ 60 Ω
≤ 100 µW
Q22FA1280027100
2 x 1.6 x 0.5mm
FA-128
24.000000 MHz
8 pF
+/-30 ppm
+/-30 ppm
-40 to +85 °C
≤ 80 Ω
≤ 100 µW
Q22FA1280028400
2 x 1.6 x 0.5mm
FA-128
48.000000 MHz
12 pF
+/-30 ppm
+/-30 ppm
-20 to +75 °C
≤ 60 Ω
≤ 100 µW
Q22FA1280029800
2 x 1.6 x 0.5mm
FA-128
25.000000 MHz
20 pF
+/-30 ppm
+/-30 ppm
-40 to +85 °C
≤ 80 Ω
≤ 100 µW
Q22FA1280030000
2 x 1.6 x 0.5mm
FA-128
27.120000 MHz
10 pF
+/-10 ppm
+/-30 ppm
-40 to +85 °C
≤ 60 Ω
≤ 100 µW
Q22FA1280030100
2 x 1.6 x 0.5mm
FA-128
48.000000 MHz
12 pF
+/-30 ppm
+/-30 ppm
-40 to +85 °C
≤ 60 Ω
≤ 100 µW
Q22FA1280030200
2 x 1.6 x 0.5mm
FA-128
48.000000 MHz
10 pF
+/-30 ppm
+/-30 ppm
-40 to +85 °C
≤ 60 Ω
≤ 100 µW
Q22FA1280030300
2 x 1.6 x 0.5mm
FA-128
36.000000 MHz
8 pF
+/-10 ppm
+/-12 ppm
-30 to +85 °C
≤ 60 Ω
≤ 100 µW
Q22FA1280030400
2 x 1.6 x 0.5mm
FA-128
24.000000 MHz
8 pF
+/-10 ppm
+/-12 ppm
-30 to +85 °C
≤ 80 Ω
≤ 100 µW
Q22FA1280030500
2 x 1.6 x 0.5mm
FA-128
32.000000 MHz
10 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +75 °C
≤ 60 Ω
≤ 100 µW
Q22FA1280030800
2 x 1.6 x 0.5mm
FA-128
16.000000 MHz
12 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +75 °C
≤ 200 Ω
≤ 100 µW
Q22FA1280031100
2 x 1.6 x 0.5mm
FA-128
25.000000 MHz
18 pF
+/-30 ppm
+/-30 ppm
-20 to +75 °C
≤ 80 Ω
≤ 100 µW
Q22FA1280031400
2 x 1.6 x 0.5mm
FA-128
24.000000 MHz
18 pF
+/-30 ppm
+/-30 ppm
-20 to +75 °C
≤ 80 Ω
≤ 100 µW
Q22FA1280031500
2 x 1.6 x 0.5mm
FA-128
27.120000 MHz
10 pF
+/-10 ppm
+/-20 ppm
-40 to +85 °C
≤ 60 Ω
≤ 100 µW
Q22FA1280031800
2 x 1.6 x 0.5mm
FA-128
40.000000 MHz
10 pF
+/-30 ppm
+/-30 ppm
-20 to +75 °C
≤ 60 Ω
≤ 100 µW
Q22FA1280032100
2 x 1.6 x 0.5mm
FA-128
48.000000 MHz
7 pF
+/-30 ppm
+/-30 ppm
-20 to +75 °C
≤ 60 Ω
≤ 100 µW
愛普生晶振泛音:晶振體動的機械諧波.泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍,這是它與電氣諧波的主要區(qū)別.泛音振動有3次泛音,5次泛音,7次泛音,9次泛音等.
愛普生晶振基頻:在振動模式最低階次的振動頻率.
愛普生晶振激勵電平:日產(chǎn)晶振晶體工作時所消耗功率的表征值.
愛普生晶振激勵電平可選值有:2mW、1mW、0.5mW、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等.
愛普生晶振負(fù)載諧振電阻:在負(fù)載諧振頻率時呈現(xiàn)的等效電阻.用RL表示. RL=R1(1+C0/CL2
愛普生晶振,Q22FA1280029800石英晶體
日本愛普生晶振靜電容:等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容,也叫并電容,通常用C0表示.
日本愛普生晶振老化率:在規(guī)定條件下,晶體工作頻率隨時間而允許的相對變化.以年為時間單位衡量時稱為年老化率.
日本愛普生晶振溫度頻差:在規(guī)定條件下,在工作溫度范圍內(nèi)相對于基準(zhǔn)溫度(25±2℃)時工作頻率的允許偏差.
日本進(jìn)口晶振調(diào)整頻差:在規(guī)定條件下,基準(zhǔn)溫度(25±2℃)時工作頻率相對于標(biāo)稱頻率所允許的偏差.
日本愛普生晶振工作頻率:晶體與工作電路共同產(chǎn)生的頻率.
日本愛普生晶振標(biāo)稱頻率:晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率,通常標(biāo)識在產(chǎn)品外殼上.
愛普生晶振,Q22FA1280029800石英晶體
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