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愛普生晶振,SPXO晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振

頻率：1-75MHZ

尺寸：2.5*2.0mm

金屬面貼片晶振,表面金屬封裝,其實是屬于壓電石英晶振,是高可靠的環(huán)保性能,嚴格的頻率分選,編帶盤裝,數(shù)碼電子晶振可應用于高速自動貼片機焊接,產品本身設計合理,成本和性能良好,產品被廣泛應用于平板電腦,MP5,數(shù)碼相機,USB接口最佳選擇,包含RoHS指令豁免的密封玻璃中的鉛.

訂購熱線：0755-27876236

愛普生晶振,SPXO晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振,2520mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無線數(shù)碼產品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應用到,手機藍牙,GPS定位系統(tǒng),無線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數(shù)碼產品最好的選擇,符合RoHS/無鉛.

有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術：有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產過程必須要解決的技術難題。在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性，必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數(shù)。

項目	符號	規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	1-75MHz	請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓	V_CC	1.8-3.3 V	請聯(lián)系我們以了解更多相關信息
儲存溫度	T_stg	-40℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請聯(lián)系我們查看更多資料http://m.amongcoders.com
		H: -40℃ to +105℃

頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

愛普生有源晶體振蕩器編碼列表:

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0041710002	SG-210STF	33.300000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0041710005	SG-210STF	1.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0041710006	SG-210STF	1.843200 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0041710007	SG-210STF	2.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0041710008	SG-210STF	3.686400 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0041710009	SG-210STF	4.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0041710010	SG-210STF	4.096000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0041710011	SG-210STF	5.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0041710012	SG-210STF	6.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0041710013	SG-210STF	6.144000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %

SG-210STF 2520 CMOS

愛普生有源晶體振蕩器產品列表:

SG-210S

1：抗沖擊

抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。

2：輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。

3：化學制劑 / pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品。

4：粘合劑

請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。）

5：鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。

6：靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

愛普生晶振,SPXO晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振

精工愛普生晶振對應歐洲RoHS指令(電氣電子設備中限制使用特定有害物質指令)及各國法令法規(guī)(REACH法規(guī)等) 作為采用新材料的其中一個條件,規(guī)定實施環(huán)境影響評價法. 環(huán)境影響評價法用于調查32.768K,時鐘晶體,壓電石英晶振材料中是否含有R o H S指令中的對象物質,2520mm晶體振蕩器是否含有法令法規(guī)中指定禁止使用的對象物質,來對應 RoHS指令和其他限制法令.(其中部分部件可能使用例外事項中的構件)

對應無鹵素,燃燒高濃度、包含以溴和氯為代表的“鹵族物質”的塑料等物質時,會產生有毒氣體(二惡英).本公司愛普生晶振將沒有使用溴、氯系列的阻燃材料的產品稱為“無鹵素產品”,低消耗晶振事業(yè)部實現(xiàn)了全部產品的無鹵素化,向客戶提供對環(huán)境友好的環(huán)保產品.

對應SII制定的綠化商品基準,本公司對達到一定基準的對環(huán)境友好的環(huán)保產品實行SII綠化商品的認證.

愛普生晶振,SPXO晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振

深圳市兆現(xiàn)電子有限公司
聯(lián)系人：龔成

電話：0755--27876236
QQ：769468702
手機：13590198504
郵箱:zhaoxiandz@163.com
網站:http://m.amongcoders.com

智能手機晶振表面貼片型石英晶振 SG-210STF晶振 X1G0041710002晶振

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