KDS大真空MO1532振蕩器,1JAAL0032768BAAX溫補(bǔ)晶振
頻率：32.768KHz
尺寸：1.5x0.8mm
大真空32.768K晶振,MO1532振蕩器,1JAAL0032768BAAX溫補(bǔ)晶振，日本進(jìn)口KDS大真空晶振，MO1532是一款超小型晶振尺寸1.5x0.8mm四腳貼片晶振，頻率32.768KHz晶振，溫度補(bǔ)償晶振（TC-MO）MEMS振蕩器，1JAAL0032768BAAX石英晶體振蕩器，有源晶振，該產(chǎn)品具有超小型，輕薄型，低抖動(dòng)晶振，低功耗晶振，低損耗晶振，低耗能晶振，低電平晶振，低相位噪聲晶振，低電流消耗等特點(diǎn)，無(wú)需電源旁路電容，被廣泛用于智能手機(jī)，平板電腦，健身帶，通訊設(shè)備，無(wú)線網(wǎng)絡(luò)，藍(lán)牙模塊，醫(yī)療保健，物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用。
大真空32.768K晶振,MO1532振蕩器,1JAAL0032768BAAX溫補(bǔ)晶振，參數(shù)圖
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項(xiàng)目 |
符號(hào) |
MO1532規(guī)格說(shuō)明 |
1JAAL0032768BAAX條件 |
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輸出頻率范圍 |
f0 |
32.768KHZ |
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電源電壓 |
VCC |
1.8-3.3.V |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40℃ to +85℃ |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
G: -10℃ to +70℃ |
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H: -30℃ to +85℃ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±2.5× 10-6 |
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L: ±1.0× 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率 |
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待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
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輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
10pF Max. |
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輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
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VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
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振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
大真空32.768K晶振,MO1532振蕩器,1JAAL0032768BAAX溫補(bǔ)晶振，尺寸圖
大真空32.768K晶振,MO1532振蕩器,1JAAL0032768BAAX溫補(bǔ)晶振
使用每種產(chǎn)品時(shí)，請(qǐng)?jiān)诋a(chǎn)品規(guī)格說(shuō)明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。
晶體產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)滿足它的規(guī)格書。通過(guò)嚴(yán)格的出廠前可靠性測(cè)試以提供高質(zhì)量高可靠性的產(chǎn)品.但是為了產(chǎn)品的品質(zhì)和可靠性，必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲(chǔ)，安 裝，運(yùn)輸。請(qǐng)注意以下的注意事項(xiàng)并在最佳的條件下使用產(chǎn)品，我們將對(duì)于客戶按自己的判斷而使用產(chǎn)品所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。
所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
抗沖擊：晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射：暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境：請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑：請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物：請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。大真空32.768K晶振,MO1532振蕩器,1JAAL0032768BAAX溫補(bǔ)晶振
靜電：過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。
在設(shè)計(jì)時(shí)
機(jī)械振動(dòng)的影響：當(dāng)晶體產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí)，比如：壓電揚(yáng)聲器，壓電蜂鳴器，以及喇叭等，輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響，我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)：(1) 理想情況下，機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上，最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí)，機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。大真空32.768K晶振,MO1532振蕩器,1JAAL0032768BAAX溫補(bǔ)晶振
(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時(shí)，按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用。
(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料。
存儲(chǔ)事項(xiàng)
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶體產(chǎn)品時(shí)，會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。大真空32.768K晶振,MO1532振蕩器,1JAAL0032768BAAX溫補(bǔ)晶振
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
大真空32.768K晶振,MO1532振蕩器,1JAAL0032768BAAX溫補(bǔ)晶振
日本大真空株式會(huì)社KDS晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).
環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動(dòng)的所有領(lǐng)域,從開發(fā),生產(chǎn)和銷售的石英晶體元器件,壓電陶瓷諧振器,石英晶體振蕩器,大真空集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng).
日本大真空株式會(huì)社KDS晶振將：
通過(guò)適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.
有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).
通過(guò)開展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止全球變暖.
避免采購(gòu)或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國(guó)或鄰近國(guó)家武裝組織的礦產(chǎn).
遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律,標(biāo)準(zhǔn),協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.
根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過(guò)教育和提高意識(shí)來(lái)提高他們的環(huán)保意識(shí).確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開.
KDS晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問(wèn)題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.大真空32.768K晶振,MO1532振蕩器,1JAAL0032768BAAX溫補(bǔ)晶振
過(guò)去KDS晶振集團(tuán)已經(jīng)針對(duì)重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問(wèn)題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績(jī)效的持續(xù)改進(jìn).
KDS晶振集團(tuán)將：不論何時(shí)何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預(yù)防.為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評(píng)審提供框架.通過(guò)充分利用或回收等方法實(shí)現(xiàn)對(duì)自然資源的保持.
KDS晶振集團(tuán)將確保其產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國(guó)家的,州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)?；顒?dòng). 在地方對(duì)各項(xiàng)設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時(shí)在各種經(jīng)營(yíng)與生產(chǎn)活動(dòng)中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求.
品牌
日本大真空株式會(huì)社
型號(hào)
尺寸
頻率
KDS晶振
1TJH125DR1A0004
DST1610A
1610
32.768KHz
KDS晶振
1JAAL0032768BAAX
MO1532
1.5x0.8
32.768K
KDS晶振
1TJL070DR1A0009
DST1610AL
1610
32.768KHz
KDS晶振
1ZC12256
DST1210A
1210
32.768KHz
KDS晶振
1TJE090DT1A000B
DST410S
4115
32.768KHz
KDS晶振
1TJN090DP1A0004
DST1210A
1210
32.768KHz
KDS晶振
1XZA032768AD9
DSK321STD
3225
32.768KHz
KDS晶振
1XZA032768AD19
DSK321STD
3225
32.768KHz
KDS晶振
1XTV32768CAA
DSA321SDA
3225
32.768KHz
KDS晶振
1TJH090DR1A0003
DST1610A
1610
32.768KHz
KDS晶振
1TJG090DR1A0013
DST210A
2012
32.768KHz
KDS晶振
1TJG125DR1A0004
DST210A
2012
32.768KHz
KDS晶振
1TJG080DP1A0001
DST210A
2012
32.768KHz
KDS晶振
1TJE125DP1A000A
DST410S
4115
32.768KHz
KDS晶振
1TJH125DR1A0058
DST1610A
1610
32.768KHz
KDS晶振
1TJG090DP1A0005
DST210A
2012
32.768KHz
KDS晶振
1TJG125DR1A0019
DST210A
2012
32.768KHz
聯(lián)系人：龔成
QQ：769468702
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1XXD16368MGA大真空晶振,DSB211SDN溫補(bǔ)晶振,無(wú)線通訊晶振DSB211SDN 2016 16.368M TCXO晶振它是一個(gè)很難做到的高精度時(shí)基進(jìn)口晶振時(shí)鐘標(biāo)準(zhǔn)此外隨著各種應(yīng)用變得更加智能和移動(dòng)化,還需要低電流消耗型和小尺寸/薄型等功能.因此,為了滿足這些市場(chǎng)需求,我們正在努力開發(fā)最適合各種應(yīng)用的晶體器件,充分利用溫度補(bǔ)償振蕩器（TCXO）的頻率調(diào)整技術(shù)和高精度光刻加工技術(shù).我們開發(fā)了一種低電流消耗、緊湊/薄型 MHZ頻帶晶體振蕩器.它是一種完全無(wú)鉛（Pb-free）的KDS晶振,符合歐洲RoHS指令,具有優(yōu)良的環(huán)保性能.
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溫補(bǔ)晶振,DSB221SDM晶振,1XXB16368MAA晶振,小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體振蕩器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.可對(duì)應(yīng)16.368.000MHz以上的頻率,KDS晶振在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振在選用晶片時(shí)應(yīng)注意溫度范圍、溫度范圍內(nèi)的頻差要求，貼片晶振溫度范圍寬時(shí)(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高。對(duì)于晶振的條片，長(zhǎng)邊為 X 軸，短邊為 Z 軸，面為 Y 軸。對(duì)于圓片晶振，X、Z 軸較難區(qū)分，TCXO晶振所以石英晶振對(duì)精度要求高的產(chǎn)品（如部分定單的 UM-1），會(huì)在 X 軸方向進(jìn)行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠，點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上。保證晶振產(chǎn)品的溫度特性
- TXC溫補(bǔ)有源晶振,8P-37.400MBG-T進(jìn)口貼片晶振
- TXC溫補(bǔ)有源晶振,8P-37.400MBG-T進(jìn)口貼片晶振，編碼：8P-37.400MBG-T，型號(hào)：8P，工作溫度：-30°C ~ 85°，尺寸：1.6mm*1.2mm，頻率：37.4 MHz，精度：±500ppb，電壓：3.3V，電流：2mA，貼片石英晶振1612 ，石英晶體振蕩器，高精度溫補(bǔ)晶振，TCXO晶振，具有低抖動(dòng)，低衰減，低相噪，低電平，低功耗，低電壓，高性能特點(diǎn)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于平板電腦，無(wú)線電話，網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，工業(yè)設(shè)備，手機(jī)導(dǎo)航，GPS，智能家具家電，數(shù)碼電子，消費(fèi)產(chǎn)品。
晶振廠家
臺(tái)產(chǎn)晶振
日產(chǎn)晶振
歐美晶振
- CTS晶振
- 微晶晶振
- 瑞康晶振
- 康納溫菲爾德
- 高利奇晶振
- Jauch晶振
- AbraconCrystal
- 維管晶振
- ECScrystal晶振
- 日蝕晶振
- 拉隆晶振
- 格林雷晶振
- SiTimeCrystal
- IDTcrystal晶振
- Pletronics晶振
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- MtronPTI晶振
- QANTEK晶振
- QuartzCom晶振
- QuartzChnik晶振
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- Transko晶振
- WI2WI晶振
- 韓國(guó)三呢晶振
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- MTI-Milliren晶振
- LiHom晶振
- Rubyquartz晶振
- Oscilent晶振
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- ITTI晶振
- PDI晶振
- C-TECH晶振
- KVG晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NIC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
- Bliley晶振
- GED晶振
- Filtronetics晶振
- STD晶振
- Q-Tech晶振
- Anderson晶振
- Wenzel晶振
- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
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- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
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- Skyworks晶振
- Renesas瑞薩晶振
32.768K
有源晶振
貼片晶振
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手機(jī)：135-9019-8504
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