愛普生晶振,SPXO晶振,SG-210SDH晶振,X1G0039410001晶振
頻率:80-170MHZ
尺寸:2.5*2.0mm

愛普生晶振,SPXO晶振,SG-210SDH晶振,X1G0039410001晶振,普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動貼片機上對應(yīng)自動貼裝等優(yōu)勢.
石英晶振在選用晶片時應(yīng)注意溫度范圍、石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計:石英晶振產(chǎn)品的電極對于壓電晶體元器件來講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波。第1、2、3項相對簡單,第4項的設(shè)計很關(guān)鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導致第4項的變化。特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設(shè)計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產(chǎn)品的影響的程度增大,故對電極的設(shè)計提出了更精準的要求。
項目 |
符號 |
規(guī)格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
80-170MHz |
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電源電壓 |
VCC |
1.8-3.3 V |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
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H: -40℃ to +105℃ |
|||
|
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負載條件、最大工作頻率 |
待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
Product Number![]() |
Model![]() |
Frequency![]() |
LxWxH![]() |
Output Wave![]() |
Ope Temperature![]() ![]() |
Freq. Tol.![]() |
I [Max]![]() |
25°C Aging![]() |
Aging2![]() |
Symmetry![]() |
X1G0039410001 | SG-210SDH | 100.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 7.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |
X1G0039410002 | SG-210SDH | 125.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 9.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |
X1G0039410003 | SG-210SDH | 100.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-100 ppm | ≤ 7.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |
X1G0039410004 | SG-210SDH | 133.333000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 9.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |
X1G0039410008 | SG-210SDH | 125.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 9.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |
X1G0039410010 | SG-210SDH | 100.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 7.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |
X1G0039410013 | SG-210SDH | 156.250000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 9.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |
X1G0039410014 | SG-210SDH | 125.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-100 ppm | ≤ 7.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % |

愛普生有源晶體振蕩器產(chǎn)品列表:
這個問題的可能性相對較小。請確定的三次泛音調(diào)模式的頻率反饋是否大于基頻模式,由于放大電路的反饋大。當放大電路內(nèi)置于芯片組此問題可能會發(fā)生。為了解決這個問題,請采用三次泛音模式晶振。
5-2。此外,放大電路,第三色調(diào)模式設(shè)計不當也可能導致電路由第五音模式振蕩或不振蕩。
系統(tǒng)故障是由于超大輸出波形的幅度。
6-1。請參照資料2.也可以提高終端石英晶振電容解決方案,然后檢查波形幅度是否得到改善。
7-1。請確定使用頻譜分析儀機中斷信號的頻率。我們可以發(fā)現(xiàn)存在的問題是根據(jù)頻率什么。
7-2。如果是從電源的交流信號,請檢查電源和信號的兩個理由的狀態(tài)是否是浮動的。請改為浮動,如果它不是。
7-3。如果信號具有高頻率,請使用以下方法:使用晶振外殼為接地。采用水晶較小C0。
增加電路,鎘和CG的外部電容,并采用石英晶體具有較高的負載電容CL。
7-4。請檢查周圍電路和PCB布局,如果上面的方法都沒有能夠解決您的問題。如果兩者都正常,那么請你聯(lián)系IC制造商探討其芯片組設(shè)計的不明信號的反應(yīng)。改變周圍電路的設(shè)計只能緩解問題,而不是完全解決它。通常。這將是最好找出來的芯片組設(shè)計問題并解決它。
愛普生晶振,SPXO晶振,SG-210SDH晶振,X1G0039410001晶振
愛普生晶振集團為確保安全、提高保護預(yù)防措施、產(chǎn)品的可靠性以及職業(yè)安全,確保職業(yè)健康與環(huán)境的優(yōu)越性,通過正式的管理評審和對健康、安全和環(huán)境實施效果的持續(xù)改進,保護人群及財產(chǎn)與環(huán)境。
愛普生晶振集團建立一種可測量的發(fā)展和改進的目標指標,定期進行內(nèi)審和管理評審。2520耐高溫有源晶振在現(xiàn)有的或新生的各種活動中不斷監(jiān)測和改進環(huán)境績效。通過對生產(chǎn)活動的持續(xù)改進和促進對低效或無效的環(huán)境法律法規(guī)進行合理化轉(zhuǎn)變,努力提高環(huán)境管理中資本的效力。
將生產(chǎn)活動中的環(huán)境因素和環(huán)境影響的分析納入我們的決策中來,確?;顒又忻恳环肿拥倪\作和發(fā)展都體現(xiàn)對污染預(yù)防方針的貫徹。
我們將定期對雇員進行教育和培訓,貼片晶振確保他們能夠安全高效的工作,樹立他們的環(huán)保責任感。 與雇員、客戶、公眾、政府及關(guān)注公司環(huán)境績效和持續(xù)改進計劃的相關(guān)方進行充分開放的信息交流。
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